Komplementarna para MOSFET w obudowie SO-8

IRF7317 zawiera tranzystor z kanałem N i tranzystor z kanałem P na wspólnym podłożu, co pozwala zbudować stopień przeciwsobny albo klucz dwukierunkowy bez dobierania dwóch osobnych elementów. Oba pracują przy napięciu do 20 V, ale nie są symetryczne: kanał N przewodzi 5,3 A przy rezystancji 0,05 Ω, kanał P tylko 3,4 A przy 0,1 Ω. Wynika to z fizyki — dziury mają mniejszą ruchliwość niż elektrony, więc przy tej samej powierzchni struktury kanał P wypada gorzej. Przy projektowaniu stopnia symetrycznego trzeba to uwzględnić, bo obciążenie obu gałęzi tym samym prądem da różne straty i różne nagrzewanie.

Specyfikacja techniczna

• typ: podwójny tranzystor unipolarny MOSFET, kanał N i P
• napięcie dren-źródło: 20 V
• prąd drenu, kanał N: 5,3 A, rezystancja kanału 0,05 Ω
• prąd drenu, kanał P: 3,4 A, rezystancja kanału 0,1 Ω
• obudowa: SO-8, montaż powierzchniowy SMD