- Tranzystor unipolarny N-MOSFET o napięciu dren-źródło 600 V i prądzie drenu 4 A. Wbudowana dioda Zenera chroni bramkę przed przepięciami. Moc strat wynosi 70 W. Obudowa TO-220 pozwala zamontować element na radiatorze.
Tranzystor unipolarny STP4NK60Z z kanałem N w obudowie TO-220
Tranzystor polowy z kanałem N, napięcie dren-źródło 600 V, prąd drenu 4 A. W odróżnieniu od tranzystora bipolarnego steruje się go napięciem bramki, a nie prądem — bramka nie pobiera prądu w stanie ustalonym, tylko ładuje się przy przełączaniu.
Napięcie bramki decyduje o rezystancji kanału — pełne wysterowanie wymaga zwykle 10 V, a przy niższym napięciu tranzystor przewodzi gorzej i mocniej się grzeje. Przy sterowaniu z mikrokontrolera potrzebny jest driver bramki albo wersja logic level.
Specyfikacja techniczna
- typ: tranzystor unipolarny, MOSFET
- kanał: N
- napięcie dren-źródło: 600 V
- prąd drenu: 4 A
- moc strat: 70 W
- obudowa: TO-220
- montaż: przewlekany
Zapytaj o produkt
Opinie o STP4NK60Z - tranzystor unipolarny N-MOSFET, 600 V, 4 A, TO-220
5.00
Liczba wystawionych opinii: 1
51
40
30
20
10
Kliknij ocenę aby filtrować opinie
Napisz swoją opinię







