Tranzystor unipolarny IRF9317 z kanałem P w obudowie SO-8

Tranzystor polowy z kanałem P, napięcie dren-źródło 30 V, prąd drenu 16 A. W odróżnieniu od tranzystora bipolarnego steruje się go napięciem bramki, a nie prądem — bramka nie pobiera prądu w stanie ustalonym, tylko ładuje się przy przełączaniu.

Napięcie bramki decyduje o rezystancji kanału — pełne wysterowanie wymaga zwykle 10 V, a przy niższym napięciu tranzystor przewodzi gorzej i mocniej się grzeje. Przy sterowaniu z mikrokontrolera potrzebny jest driver bramki albo wersja logic level.

Specyfikacja techniczna

• typ: tranzystor unipolarny, MOSFET
• kanał: P
• napięcie dren-źródło: 30 V
• prąd drenu: 16 A
• moc strat: 2,5 W
• obudowa: SO-8
• montaż: powierzchniowy