Tranzystor unipolarny IRF7104 z kanałem P w obudowie SO-8

Tranzystor polowy z kanałem P, napięcie dren-źródło 20 V, prąd drenu 2,3 A. W odróżnieniu od tranzystora bipolarnego steruje się go napięciem bramki, a nie prądem — bramka nie pobiera prądu w stanie ustalonym, tylko ładuje się przy przełączaniu.

W obudowie znajdują się dwa niezależne tranzystory o wspólnej podstawie termicznej. Rozwiązanie stosowane w mostkach i przełącznikach, gdzie dwa elementy pracują w tym samym torze i powinny mieć zbliżone parametry.

Specyfikacja techniczna

• typ: tranzystor unipolarny, MOSFET
• kanał: P
• napięcie dren-źródło: 20 V
• prąd drenu: 2,3 A
• moc strat: 2 W
• liczba tranzystorów: 2 w obudowie
• obudowa: SO-8
• montaż: powierzchniowy