Tranzystor MOSFET 500 V o mocy strat 280 W

IRFP460 jest mocniejszym odpowiednikiem IRFP450: przy tym samym napięciu 500 V przewodzi 20 A zamiast czternastu, ma rezystancję kanału 0,27 Ω zamiast 0,4 Ω i dopuszczalną moc strat 280 W zamiast 190 W. Osiągnięto to powiększeniem struktury, co pociąga za sobą znany kompromis: większa powierzchnia oznacza większą pojemność bramki, a więc większy ładunek potrzebny do przełączenia i wolniejsze narastanie zboczy przy tym samym sterowniku. W układach pracujących na kilkudziesięciu kilohercach różnica bywa odczuwalna, dlatego mocniejszy tranzystor nie zawsze jest lepszym wyborem.

Specyfikacja techniczna

• typ: tranzystor unipolarny MOSFET z kanałem N, wzbogacany
• napięcie dren-źródło: 500 V
• prąd drenu: 20 A
• rezystancja kanału w stanie załączenia: 0,27 Ω
• moc strat: 280 W
• obudowa: TO-247, montaż przewlekany, do przykręcenia do radiatora