Tranzystor unipolarny IRF7304 z kanałem N w obudowie SO-8

Tranzystor polowy z kanałem N, napięcie dren-źródło 30 V, prąd drenu 4,9 A. W odróżnieniu od tranzystora bipolarnego steruje się go napięciem bramki, a nie prądem — bramka nie pobiera prądu w stanie ustalonym, tylko ładuje się przy przełączaniu.

W obudowie znajdują się dwa niezależne tranzystory o wspólnej podstawie termicznej. Rozwiązanie stosowane w mostkach i przełącznikach, gdzie dwa elementy pracują w tym samym torze i powinny mieć zbliżone parametry.

Specyfikacja techniczna

• typ: tranzystor unipolarny, MOSFET
• kanał: N
• napięcie dren-źródło: 30 V
• prąd drenu: 4,9 A
• moc strat: 2 W
• liczba tranzystorów: 2 w obudowie
• obudowa: SO-8
• montaż: powierzchniowy