- Tranzystor MOSFET o rezystancji kanału 3,5 mΩ w obudowie do montażu powierzchniowego. Odpowiednik IRF3711 dla płytek bez elementów przewlekanych.
Klucz niskonapięciowy dużego prądu w obudowie do montażu powierzchniowego
IRF3711S ma tę samą strukturę co odmiana przewlekana, ale w obudowie D2PAK przeznaczonej do lutowania powierzchniowego. Różnica dotyczy nie parametrów elektrycznych, lecz sposobu odprowadzania ciepła: zamiast radiatora przykręcanego do obudowy pracuje tu pole miedzi na płytce, połączone z powierzchnią lutowniczą drenu. Przy rezystancji kanału 3,5 mΩ i prądach rzędu kilkudziesięciu amperów powierzchnia tego pola przesądza o rzeczywistej obciążalności, więc jej wielkość trzeba wyliczyć, a nie przyjąć na oko. Litera S w oznaczeniu odróżnia wykonanie powierzchniowe od przewlekanego.
Specyfikacja techniczna
- typ: tranzystor unipolarny MOSFET z kanałem N, wzbogacany
- napięcie dren-źródło: 20 V
- prąd drenu: 110 A
- rezystancja kanału w stanie załączenia: 3,5 mΩ
- moc strat: 120 W
- obudowa: D2PAK (TO-263), montaż powierzchniowy SMD
Powiązane produkty

Kabel USB-C do USB-C 60W Power Delivery LED 2m – everActive CBB-2PDR, szybkie ładowanie 3A/20V z RGB
Kod:PRZEW USB23
16,00 zł brutto
Zapytaj o produkt
Napisz swoją opinię
Dodaj opinię
Napisz swoją opinię






