Tranzystor bipolarny BC517 typu NPN w obudowie TO-92

Element typu NPN o napięciu kolektor-emiter 30 V i prądzie kolektora 400 mA. Tranzystor bipolarny steruje się prądem bazy, nie napięciem — obwód wejściowy projektuje się więc pod prąd, a nie pod poziom logiczny.

Dwa tranzystory połączone w układzie Darlingtona mnożą wzmocnienie prądowe. Ceną jest wyższe napięcie nasycenia — na przewodzącym elemencie odkłada się około 1 V zamiast 0,2 V, co przy większych prądach oznacza więcej ciepła do odprowadzenia.

Specyfikacja techniczna

• typ: tranzystor bipolarny
• polaryzacja: NPN
• napięcie kolektor-emiter: 30 V
• prąd kolektora: 400 mA
• moc strat: 0,625 W
• wzmocnienie prądowe hFE: 30000
• częstotliwość graniczna: 200 MHz
• konfiguracja: Darlington
• kolejność wyprowadzeń: emiter, baza, kolektor
• obudowa: TO-92
• montaż: przewlekany