Tranzystor BC517 NPN-DAR.30V 0.4A 0.625W (konfiguracja wyprowadzeń EBC)

Tranzystor małosygnałowy Darlingtona NPN, Ptot- 0,62 W, Vceo- 30 V, Ic- 0,4 A, hFE typ- 30000, ftyp- 200 MHz, obudowa TO93

Uwaga: Konfiguracja pinów zgodna z SIEMENS (E-B-C): emiter - baza - kolektor