Tranzystor unipolarny IRFD120 z kanałem N w obudowie DIP-4

Tranzystor polowy z kanałem N, napięcie dren-źródło 100 V, prąd drenu 1 A. W odróżnieniu od tranzystora bipolarnego steruje się go napięciem bramki, a nie prądem — bramka nie pobiera prądu w stanie ustalonym, tylko ładuje się przy przełączaniu.

Rezystancja kanału w stanie przewodzenia wynosi 0,3 Ω. To ona decyduje o stratach: przy prądzie roboczym moc tracona w tranzystorze rośnie z kwadratem prądu, więc niższa rezystancja oznacza mniej ciepła i mniejszy radiator. Podana wartość odnosi się do pełnego wysterowania bramki.

Specyfikacja techniczna

• typ: tranzystor unipolarny, MOSFET
• kanał: N
• napięcie dren-źródło: 100 V
• prąd drenu: 1 A
• rezystancja kanału: 0,3 Ω
• moc strat: 1 W
• obudowa: DIP-4
• montaż: przewlekany