Tranzystor MOSFET 500 V o rezystancji kanału 1,5 Ω

IRF830 należy do tej samej rodziny co IRF820 i pracuje przy tym samym napięciu 500 V, ale ma dwukrotnie większą powierzchnię struktury. Przekłada się to na rezystancję kanału 1,5 Ω zamiast trzech omów i prąd 4,5 A zamiast 2,5 A. Za większą strukturę płaci się jednak pojemnością bramki: przełączenie takiego tranzystora wymaga większego ładunku, więc sterownik musi oddać większy prąd chwilowy, a przy dużych częstotliwościach rosną straty przełączania. Wybór między tymi dwoma modelami sprowadza się do pytania, co przeważa w danej przetwornicy — straty przewodzenia czy przełączania.

Specyfikacja techniczna

• typ: tranzystor unipolarny MOSFET z kanałem N, wzbogacany
• napięcie dren-źródło: 500 V
• prąd drenu: 4,5 A
• rezystancja kanału w stanie załączenia: 1,5 Ω
• moc strat: 75 W
• obudowa: TO-220, montaż przewlekany, do przykręcenia do radiatora