Tranzystor MOSFET 200 V do przetwornic i sterowników silników

IRF640N łączy napięcie 200 V z rezystancją kanału 0,15 Ω, co plasuje go pomiędzy tranzystorami niskonapięciowymi o rezystancji liczonej w miliomach a strukturami na 500 V, gdzie rezystancja idzie w omy. Taki zestaw parametrów odpowiada zasilaniu z 48 V i 100 V oraz przetwornicom o pośrednim napięciu obwodu pośredniczącego. Katalogowe 18 A to wartość przy obudowie utrzymanej w 25°C; przy realnym radiatorze i temperaturze obudowy 100°C obciążalność spada do około dwóch trzecich tej wartości, co przy doborze trzeba uwzględnić.

Specyfikacja techniczna

• typ: tranzystor unipolarny MOSFET z kanałem N, wzbogacany
• napięcie dren-źródło: 200 V
• prąd drenu: 18 A
• rezystancja kanału w stanie załączenia: 0,15 Ω
• moc strat: 125 W
• obudowa: TO-220, montaż przewlekany, do przykręcenia do radiatora