- Tranzystor MOSFET o bardzo niskiej rezystancji kanału, do kluczy w obwodach niskonapięciowych dużego prądu. Rezystancja 3,5 mΩ.
Tranzystor MOSFET o rezystancji kanału poniżej czterech miliomów
IRF3711 jest przeznaczony do kluczy w obwodach niskonapięciowych dużego prądu: przetwornic obniżających, sterowników silników, zabezpieczeń akumulatorowych. Napięcie 20 V ogranicza go do instalacji 12 V, ale w zamian rezystancja kanału wynosi zaledwie 3,5 mΩ. Przy prądzie 50 A odkłada się na niej niecałe 9 W, podczas gdy tranzystor o rezystancji 50 mΩ rozproszyłby w tych warunkach 125 W i wymagałby chłodzenia wodnego. Katalogowe 110 A obowiązuje przy utrzymaniu obudowy w 25°C, czyli w warunkach nieosiągalnych w praktyce — rzeczywistą granicę wyznacza radiator.
Specyfikacja techniczna
- typ: tranzystor unipolarny MOSFET z kanałem N, wzbogacany
- napięcie dren-źródło: 20 V
- prąd drenu: 110 A
- rezystancja kanału w stanie załączenia: 3,5 mΩ
- moc strat: 120 W
- obudowa: TO-220, montaż przewlekany, do przykręcenia do radiatora
Powiązane produkty

Kabel USB-C do USB-C 60W Power Delivery LED 2m – everActive CBB-2PDR, szybkie ładowanie 3A/20V z RGB
Kod:PRZEW USB23
16,00 zł brutto
Zapytaj o produkt
Napisz swoją opinię
Dodaj opinię
Napisz swoją opinię






