Tranzystor mocy polowy N-MOS, HEXFET Power MOSFET, Ptot- 125 W, Vds- 400 V, Id- 10 A, Vgs(off)- 2-4 V, rds(on)- 0,55 om, obudowa TO-220
Do pobrania
Zapytaj o produkt
Napisz swoją opinię
Tranzystor mocy polowy N-MOS, HEXFET Power MOSFET, Ptot- 125 W, Vds- 400 V, Id- 10 A, Vgs(off)- 2-4 V, rds(on)- 0,55 om, obudowa TO-220