- Tranzystor PNP małej mocy w obudowie do montażu powierzchniowego, o podwyższonym napięciu pracy. Do stopni sterujących w obwodach zasilanych napięciem do 65 V.
Tranzystor PNP o podwyższonym napięciu pracy, w obudowie SOT-23
BC856 różni się od pozostałych tranzystorów tej rodziny przede wszystkim napięciem kolektor-emiter 65 V, czyli ponad dwukrotnie wyższym niż w typowych układach małej mocy. Pozwala to sterować obwodami zasilanymi z 24 V i 48 V, gdzie zapas na przepięcia komutacyjne musi być większy. Poza tym jest to zwykły tranzystor sygnałowy o przewodnictwie PNP: prąd kolektora 100 mA, obudowa do montażu powierzchniowego. Odpowiednikiem o przewodnictwie NPN jest BC846.
Specyfikacja techniczna
- typ: tranzystor bipolarny PNP, krzemowy, małej mocy
- napięcie kolektor-emiter: 65 V
- prąd kolektora: 100 mA
- moc strat: 200 mW
- częstotliwość graniczna: 100 MHz
- obudowa: SOT-23, montaż powierzchniowy SMD
Powiązane produkty

Kabel USB-C do USB-C 60W Power Delivery LED 2m – everActive CBB-2PDR, szybkie ładowanie 3A/20V z RGB
Kod:PRZEW USB23
16,00 zł brutto
Zapytaj o produkt
Napisz swoją opinię
Dodaj opinię
Napisz swoją opinię






