Tranzystor MOSFET 500 V do przetwornic zasilanych z sieci

IRF820 pracuje przy napięciu dren-źródło do 500 V, czyli z zapasem nad wartością szczytową wyprostowanego napięcia sieciowego, która wynosi około 325 V. To podstawowe zastosowanie tej klasy tranzystorów: klucz w zasilaczu impulsowym, przetwornicy zaporowej albo układzie zapłonowym. Rezystancja kanału wynosi 3 Ω i jest to zjawisko normalne — w strukturach wysokonapięciowych warstwa dryfowa musi być gruba, żeby wytrzymać napięcie, a to wprost podnosi rezystancję. Przy prądzie 2,5 A odkłada się na niej blisko 19 W, więc radiator jest konieczny przy każdym obciążeniu powyżej ułamka ampera.

Specyfikacja techniczna

• typ: tranzystor unipolarny MOSFET z kanałem N, wzbogacany
• napięcie dren-źródło: 500 V
• prąd drenu: 2,5 A
• rezystancja kanału w stanie załączenia: 3 Ω
• moc strat: 50 W
• obudowa: TO-220, montaż przewlekany, do przykręcenia do radiatora