Tranzystor MOSFET z kanałem P w obudowie o rastrze układów scalonych

IRFD9120 wyróżnia się obudową: cztery wyprowadzenia w rastrze 2,54 mm pozwalają wlutować go w płytkę uniwersalną albo w podstawkę obok układów scalonych, bez przewiercania dodatkowych otworów. Kanał P ułatwia przełączanie po stronie dodatniej zasilania, gdzie tranzystor z kanałem N wymagałby układu podbijającego napięcie bramki. Ograniczeniem jest moc: dopuszczalna strata wynosi 1,3 W, a rezystancja kanału 1,2 Ω, więc przy prądzie 1 A element pracuje na granicy swoich możliwości cieplnych. To rozwiązanie do sterowania i odłączania obwodów, nie do przewodzenia prądu obciążenia.

Specyfikacja techniczna

• typ: tranzystor unipolarny MOSFET z kanałem P, wzbogacany
• napięcie dren-źródło: 100 V
• prąd drenu: 1 A
• rezystancja kanału w stanie załączenia: 1,2 Ω
• moc strat: 1,3 W
• obudowa: HVMDIP, cztery wyprowadzenia w rastrze 2,54 mm, montaż przewlekany