Tranzystor MOSFET 500 V dużej mocy w obudowie TO-247

IRFP450 pracuje przy napięciu 500 V i przewodzi do 14 A przy rezystancji kanału 0,4 Ω. Obudowa TO-247 odprowadza ciepło znacznie skuteczniej od TO-220: dopuszczalna moc strat sięga 190 W, czyli ponad dwukrotnie więcej niż w IRF830 przy tym samym napięciu. Taki zestaw parametrów odpowiada urządzeniom, w których przez klucz płynie prąd rzędu kilku amperów przy napięciu sieciowym — spawarkom inwertorowym, zasilaczom impulsowym większej mocy, przetwornicom przemysłowym. Przy rezystancji 0,4 Ω i prądzie 10 A straty przewodzenia wynoszą 40 W, więc radiator o odpowiedniej powierzchni jest tu warunkiem pracy, a nie zabezpieczeniem.

Specyfikacja techniczna

• typ: tranzystor unipolarny MOSFET z kanałem N, wzbogacany
• napięcie dren-źródło: 500 V
• prąd drenu: 14 A
• rezystancja kanału w stanie załączenia: 0,4 Ω
• moc strat: 190 W
• obudowa: TO-247, montaż przewlekany, do przykręcenia do radiatora