Drabinka rezystorowa 9x1k SIL10

Matryca rezystorowa wykonana w technologii grubowarstwowej. Zamknięta w obudowie typu SIL10. Dziewięć rezystorów o takiej samej wartości, z jednym wspólnym wyprowadzeniem.

• rezystancja 9 x 1 kΩ
• tolerancja ±2%
• moc na rezystor 0,125 W
• maksymalne napięcie robocze - 125 VDC
• zakres temperatur -55 do +125°C
• obudowa SIL10