Tranzystor bipolarny 2N4033 typu PNP w obudowie metalowej TO-39

Element typu PNP o napięciu kolektor-emiter 80 V i prądzie kolektora 1 A, w metalowej obudowie TO-39. Tranzystor bipolarny steruje się prądem bazy, a nie napięciem — to odróżnia go od tranzystora unipolarnego i decyduje o sposobie projektowania obwodu wejściowego.

Moc strat zależy od tego, czy obudowa ma odprowadzenie ciepła. Bez radiatora dopuszczalne jest 0,8 W przy temperaturze otoczenia 25°C; z radiatorem utrzymującym obudowę w 25°C wartość rośnie do 4 W. Metalowa obudowa TO-39 pozwala skręcić element z radiatorem, co przy pracy ciągłej bliskiej granicy jest konieczne.

Wzmocnienie prądowe hFE mieści się w przedziale od 75 do 300 przy prądzie kolektora 100 mA i spada do 25 przy pełnym prądzie 1 A. Częstotliwość graniczna od 150 MHz przeznacza układ także do wzmacniaczy sygnałowych, nie tylko do przełączania.

Specyfikacja techniczna

• typ: tranzystor bipolarny
• polaryzacja: PNP
• napięcie kolektor-emiter: 80 V
• napięcie kolektor-baza: 80 V
• prąd kolektora: 1 A
• moc strat bez radiatora: 0,8 W przy 25°C
• moc strat z radiatorem: 4 W przy temperaturze obudowy 25°C
• wzmocnienie prądowe hFE: 75 do 300 przy 100 mA
• częstotliwość graniczna: 150 do 500 MHz
• zakres temperatur pracy: -65 do 200°C
• obudowa: TO-39, metalowa
• montaż: przewlekany

Wyprowadzenia w obudowie TO-39 rozmieszczone są w kolejności emiter, baza, kolektor, licząc od znacznika na kołnierzu obudowy.