Elektronika
Moduł wykonawczy MOSFET 20A 0–50V z optoizolacją - zlutowany KIT AVT 5895
- Moduł wykonawczy MOSFET przełącza obciążenia 0–50 V do około 20 A z izolowanego wejścia. AVT5895 C to zlutowany układ do integracji w sterowaniu DC.
Wysokoprądowe wyjście sterujące z tranzystorem MOSFET - zlutowany AVT5895
Zlutowany moduł wykonawczy MOSFET do podłączenia sygnału sterującego, zasilania bramki i obciążenia DC 0–50 V.
Zlutowany moduł do przełączania obciążeń DC
AVT5895 C to zlutowany tranzystorowy moduł wykonawczy z optoizolowanym wejściem sterującym. Układ pozwala sterować obciążeniem DC z sygnału logicznego, separując tor sterowania przez transoptor H11L3M.
Tranzystor MOSFET IRFP064N przełącza tor obciążenia 0–50 V, a zabezpieczenia na płytce ograniczają skutki przepięć generowanych między innymi przez obciążenia indukcyjne. Wersja C zawiera zmontowany układ przeznaczony do poprawnego podłączenia zasilania, sygnału sterującego, obciążenia, radiatora i integracji w urządzeniu lub obudowie.
Karta techniczna
AVT5895
Zlutowany moduł wykonawczy MOSFET z optoizolowanym wejściem, zabezpieczeniem bramki, diodą dla obciążeń indukcyjnych i gasikiem RC.
| Kod projektu | AVT5895 |
|---|---|
| Wersja | C – zlutowany układ |
| Typ układu | tranzystorowy moduł wykonawczy z optoizolacją |
| Element wykonawczy | MOSFET IRFP064N |
| Izolacja wejścia | transoptor H11L3M z przerzutnikiem Schmitta |
| Minimalna amplituda sterowania | 3,3 V |
| Zasilanie części sterującej bramką | 10–15 V DC, typowo 12 V |
| Napięcie zasilania obciążenia | 0–50 V DC |
| Maksymalny prąd modułu | około 20 A, zależnie od chłodzenia i warunków pracy |
| Zabezpieczenia toru mocy | dioda BYW29, gasik RC, transil bramka-źródło |
| Wymiary płytki PCB | 80×40 mm |
Wersja
AVT5895 C – zlutowany układ. Wersja zawiera zmontowany tranzystorowy moduł wykonawczy z optoizolacją przeznaczony do poprawnego podłączenia zasilania, sygnału sterującego, obciążenia, radiatora i integracji w urządzeniu lub obudowie.
Notes
AVT5895 C wymaga podłączenia sygnału sterującego do J4, zasilania części sterującej bramką do J1 oraz toru obciążenia do złączy J2/J3.
Do pełnego otwarcia tranzystora MOSFET potrzebne jest zasilanie części sterującej bramką z zakresu 10–15 V DC, typowo 12 V.
Tor obciążenia może pracować z napięciem 0–50 V DC. Wartość 50 V nie powinna być przekraczana ze względu na elementy toru mocy.
Moduł należy zamontować z radiatorem dobranym do prądu obciążenia, częstotliwości przełączania i warunków chłodzenia.
Uwaga: AVT5895 C nie jest samodzielnym gotowym urządzeniem. To zlutowany układ wykonawczy do poprawnego podłączenia, chłodzenia i zabezpieczenia. Przy prądach rzędu kilkunastu amperów wymagane są odpowiednie przewody, złącza, bezpiecznik, obudowa i kontrola temperatury radiatora.
Najczęściej zadawane pytania
AVT5895 C to zlutowany moduł wykonawczy MOSFET z optoizolowanym wejściem sterującym.
Nie. Wersja C jest zlutowanym układem elektronicznym do integracji w urządzeniu, obudowie lub stanowisku testowym.
Nie. Układ działa sprzętowo jako moduł wykonawczy sterowany sygnałem logicznym.
Tak. Wejście sterujące jest odseparowane przez transoptor H11L3M.
Około 20 A dla całego modułu, z uwzględnieniem ograniczeń płytki, złącz, chłodzenia i warunków pracy.
