- Moduł wykonawczy MOSFET steruje obciążeniami 0–50 V do około 20 A z izolowanego wejścia. AVT5895 B to KIT DIY z płytką PCB i elementami do lutowania.
Wysokoprądowe wyjście sterujące z tranzystorem MOSFET - KIT DIY AVT5895
Zestaw elementów do wykonania optoizolowanego modułu wykonawczego z tranzystorem MOSFET, wejściem sterującym i torem mocy 0–50 V.
KIT modułu MOSFET do obciążeń dużej mocy
AVT5895 B pozwala zbudować tranzystorowy moduł wykonawczy dla obciążeń DC o dużym poborze prądu. Sygnał sterujący trafia przez transoptor H11L3M, a tor mocy przełącza tranzystor IRFP064N.
Moduł ma oddzielne wejście zasilania części sterującej bramką MOSFET i osobny tor zasilania obciążenia. Dzięki gasikowi RC, diodzie zabezpieczającej oraz transilowi bramka-źródło układ jest przygotowany do pracy także z obciążeniami generującymi zakłócenia. Wersja B obejmuje płytkę PCB oraz podzespoły przewidziane do zlutowania tranzystorowego modułu wykonawczego.
Karta techniczna
AVT5895
KIT wysokoprądowego modułu wykonawczego z optoizolowanym wejściem, tranzystorem MOSFET IRFP064N i zabezpieczeniami dla obciążeń indukcyjnych.
| Kod projektu | AVT5895 |
|---|---|
| Wersja | B – zestaw elementów do samodzielnego montażu |
| Typ układu | tranzystorowy moduł wykonawczy z optoizolacją |
| Element wykonawczy | MOSFET IRFP064N |
| Izolacja wejścia | transoptor H11L3M z przerzutnikiem Schmitta |
| Minimalna amplituda sterowania | 3,3 V |
| Zasilanie części sterującej bramką | 10–15 V DC, typowo 12 V |
| Napięcie zasilania obciążenia | 0–50 V DC |
| Maksymalny prąd modułu | około 20 A, zależnie od chłodzenia i warunków pracy |
| Zabezpieczenia toru mocy | dioda BYW29, gasik RC, transil bramka-źródło |
| Wymiary płytki PCB | 80×40 mm |
Wersja
AVT5895 B – zestaw elementów do samodzielnego montażu. Wersja KIT zawiera płytkę PCB oraz podzespoły przewidziane do zlutowania tranzystorowego modułu wykonawczego z optoizolacją.
Notes
Wszystkie elementy są przewidziane do montażu przewlekanego. Montaż najlepiej rozpocząć od najniższych elementów, kończąc na złączach, tranzystorze mocy, diodzie mocy i radiatorze.
Nie zaleca się zasilania części sterującej bramką napięciem niższym niż 10 V, ponieważ MOSFET może nie otwierać się w pełni.
Napięcie wyższe niż 15 V w części sterującej bramką może doprowadzić do otwarcia transila D4 i uszkodzenia transoptora OK1.
Dla większych prądów i pracy PWM trzeba zadbać o radiator, niską rezystancję połączeń oraz możliwie krótkie przewody w torze obciążenia.
Uwaga: AVT5895 B jest zestawem do samodzielnego montażu przeznaczonym do pracy z dużymi prądami. Przed podłączeniem obciążenia należy sprawdzić poprawność lutowania, izolację elementów na radiatorze, biegunowość zasilania, dobór bezpiecznika i przekrój przewodów.
Najczęściej zadawane pytania
AVT5895 B to KIT DIY z płytką PCB i elementami do lutowania tranzystorowego modułu wykonawczego z optoizolacją.
Do przełączania obciążeń DC o dużym poborze prądu, takich jak silniki prądu stałego, grzałki, elektrozawory lub inne odbiorniki mieszczące się w parametrach modułu.
Nie. Układ działa jako sprzętowy moduł wykonawczy.
Tak, radiator należy dobrać do prądu obciążenia, częstotliwości przełączania i strat mocy w elementach toru mocy.
Tor obciążenia może pracować z napięciem od 0 do 50 V DC.
Elektronika







![Oscyloskop dwukanałowy 10MHz; Miernik [V, A, om, F, temp]; Generator sygnału FNIRSI 2C23T](hpeciai/9ae099dcce077bf9365579c6db71a9d0/pol_il_Oscyloskop-dwukanalowy-10MHz-Miernik-V-A-om-F-temp-Generator-sygnalu-FNIRSI-2C23T-190299.webp)

