Tranzystor bipolarny BCR112 typu NPN w obudowie SOT-23

Element typu NPN o napięciu kolektor-emiter 50 V i prądzie kolektora 100 mA. Tranzystor bipolarny steruje się prądem bazy, nie napięciem — obwód wejściowy projektuje się więc pod prąd, a nie pod poziom logiczny.

W obudowie zintegrowano rezystory bazy, dzięki czemu element podłącza się bezpośrednio do wyprowadzenia mikrokontrolera. Upraszcza to schemat i oszczędza miejsce na płytce, ale wartości rezystorów są ustalone fabrycznie i nie da się ich zmienić.

Specyfikacja techniczna

• typ: tranzystor bipolarny
• polaryzacja: NPN
• napięcie kolektor-emiter: 50 V
• prąd kolektora: 100 mA
• częstotliwość graniczna: 140MHz
• rezystory bazy: zintegrowane w obudowie
• obudowa: SOT-23
• montaż: powierzchniowy