Tranzystor bipolarny 2SC5129 typu NPN w obudowie 2-16E3A

Element typu NPN o napięciu kolektor-emiter 600 V i prądzie kolektora 10 A. Tranzystor bipolarny steruje się prądem bazy, a nie napięciem — to odróżnia go od tranzystora unipolarnego i decyduje o sposobie projektowania obwodu wejściowego.

Moc strat 50 W odnosi się do pracy z radiatorem utrzymującym obudowę w temperaturze odniesienia. Bez odprowadzenia ciepła rzeczywista dopuszczalna moc jest wielokrotnie niższa, dlatego dobór radiatora jest częścią projektu, a nie dodatkiem.

Specyfikacja techniczna

• typ: tranzystor bipolarny
• polaryzacja: NPN
• napięcie kolektor-emiter: 600 V
• prąd kolektora: 10 A
• moc strat: 50 W
• wzmocnienie prądowe hFE: 10-30
• częstotliwość graniczna: 1,7MHz
• obudowa: 2-16E3A
• montaż: przewlekany