Tranzystory unipolarne
( ilość produktów: 117 )Tranzystor IRF9317 P-MOSFET, unipolarny, -30V, -16A, 2,5W, SO8
Tranzystor 2SK170-GR N-JFET 0,2A 40V 400mW TO92 Toshiba
Tranzystor 2SK170-BL N-JFET 0,1A 40V 400mW TO92 Toshiba
Tranzystor FQP13N10 N-MOSFET 12.8A 100V 65W 0.18om TO220
Tranzystor STP55NF06FP N-MOSFET (60V, 50A, 30W) TO220FP
Tranzystor IRF5210S unipolarny, P-MOSFET, -100V, -400mA, 3,8W, D2PAK
Tranzystor VND7NV04 OMNI-FET 6A 40V 0.06R TO252
Tranzystor IRL3713S [unipolarny, N, 30V, 260A] TO263 (D2PAK)
Tranzystor IRL3103 N-MOSFET 64A 30V 94W 0.012R TO220
Tranzystor IRFP150 HEXFET, 100V, 39A, 140W, TO247
Tranzystor IRFZ48N N-MOSFET, unipolarny, 55V, 64A, 94W, TO220, HEXFET
Tranzystor IRFZ44 N-MOS 46A 60V 150W TO220
Tranzystor IRF4905 P-MOSFET 74A 55V 200W 0.02om TO220
Tranzystor BSP171 P-MOSFET 60V 1.7A 0.35 1.6W SOT223
Tranzystor IRFP064N N-MOSFET, unipolarny, 55V, 98A, 150W, TO-247AC
Tranzystor HUF75344G3 N-MOSFET, unipolarny, 55V, 75A, 285W, TO247 (N445AB)
Tranzystor IRL3803VBF N-MOSFET-LOGL 140A 30V 200W TO220
Tranzystor STW20NK50Z unipolarny, N-MOSFET, 500V, 17A, 190W, TO247
- 1
- 2
Tranzystory unipolarne , zwane też polowymi, stanowią podstawę całej współczesnej techniki półprzewodnikowej. To właśnie one „napędzają” silniki przemysłowe dużej mocy, pracują jako klucze w przetwornicach DC/DC komputerowych płyt głównych, czy wreszcie – tworzą struktury wielordzeniowych procesorów oraz innych układów cyfrowych o wielkiej skali integracji. Ogromne zalety tranzystorów polowych sprawiają, że coraz trudniej dziś znaleźć urządzenia bazujące na tranzystorach bipolarnych . Warto jednak pamiętać o istotnych ograniczeniach i wymaganiach układowych, których spełnienie jest niezbędne do prawidłowego wykorzystania tych elementów w nawet najbardziej wymagających aplikacjach.
Tranzystory unipolarne JFET – rodzaje i zasada działania
Podstawowy podział tranzystorów polowych wynika z konstrukcji ich struktury półprzewodnikowej – to właśnie od niej zależą bowiem charakterystyki i zasada działania elementów. Dawniej chętnie stosowane były tranzystory polowe złączowe (JFET), w których maksymalna wartość prądu drenu występowała dla zerowego napięcia bramka-źródło. Wzrost napięcia na bramce powodował spadek prądu drenu, aż do niemal całkowitego zatkania tranzystora. Elementy JFET były chętnie stosowane w urządzeniach wysokiej częstotliwości, a także we wzmacniaczach o wysokiej impedancji wejściowej. Dziś tranzystory tego typu coraz rzadziej spotkać można jako elementy dyskretne, choć nadal bardzo cenne dla współczesnej techniki analogowej są wzmacniacze operacyjne z wejściami JFET – niewielkie prądy polaryzacji oraz niezrównoważenia pozwalają na realizację różnego rodzaju użytecznych układów, np. wzmacniaczy transimpedancyjnych czy też wtórników napięciowych. W literaturze znajdziesz też liczne przykłady układów próbkująco-pamiętających, opartych właśnie o klasyczny, unipolarny tranzystor JFET.
Tranzystory MOSFET – sterowanie i praktyczne konsekwencje pojemności bramki
Modyfikacja struktury krzemowej tranzystora przez oddzielenie bramki za pomocą nieprzewodzącej warstwy tlenku metalu doprowadziła do stworzenia tranzystorów MOSFET (ang. Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor). Tranzystory z tej grupy cechują się bardzo niskimi wartościami statycznego prądu bramki (sterowanie obwodem dren-źródło odbywa się poprzez zmianę napięcia pomiędzy bramką, a źródłem), doskonale sprawdzają się zatem jako budulec cyfrowych układów scalonych. Nie należy jednak zapominać, że nieprzewodzący charakter tlenku metalu powoduje, iż obwód bramka-źródło widziany jest przez zewnętrzny układ jako relatywnie spora pojemność. Dla tranzystorów o dopuszczalnej mocy strat rzędu kilkuset watów wynosi ona zwykle kilka, a nawet kilkanaście nanofaradów. Choć sytuacja taka może się wydawać problemem pomijalnym, to w rzeczywistych układach pracujących impulsowo (np. w kontrolerach PWM, stosowanych do sterowania napędów elektrycznych) konieczne jest uwzględnienie specjalnych, scalonych sterowników bramek. Mają one za zadanie zapewniać odpowiednio dużą wydajność prądową, niezbędną właśnie do przeładowania pojemności bramkowych tranzystorów.
Zalety tranzystorów MOSFET
Tranzystory unipolarne MOSFET posiadają szereg praktycznych zalet, które pozwalają na stosowanie tych elementów w układach przełączających dużej mocy. Jedną z najważniejszych jest możliwość uzyskania niezwykle niskiej wartości rezystancji obwodu dren-źródło – o ile tylko bramka tranzystora zostanie wysterowana odpowiednio wysokim napięciem, uzyskanie rezystancji obwodu „wyjściowego” tranzystora na poziomie pojedynczych miliomów nie będzie stanowiło najmniejszego problemu. Właśnie z tego względu dyskretne MOSFET-y są chętnie używane w sterownikach silników i innych obciążeń indukcyjnych, wydajnych przetwornicach DC/DC o dużej mocy czy też sterownikach oświetlenia. Jedno z bardziej efektownych zastosowań tranzystorów MOSFET stanowią także końcówki mocy wzmacniaczy akustycznych – w ofercie AVT znajdziesz szereg kitów, umożliwiających budowę wysokiej klasy wzmacniacza, bazującego na dyskretnych tranzystorach.