Matryca rezystorowa wykonana w technologii grubowarstwowej. Zamknięta w obudowie typu SIL5. Cztery indywidualne, jednakowe rezystory, z wspólnym wyprowadzeniem.
- rezystancja 4 x 10 kΩ
- tolerancja ±2%
- moc na rezystor 0,2 W
- maksymalne napięcie robocze 125 VDC
- zakres temperatur -55 ÷ 125°C
- obudowa SIL5
Zapytaj o produkt
Napisz swoją opinię